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| 立足先進(jìn)技術(shù) 打造國(guó)際領(lǐng)先封裝企業(yè) |
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江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)電科技)是集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)單位，中國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)基地，為客戶提供芯片測(cè)試、封裝設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試等全套解決方案，榮獲國(guó)家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)、中國(guó)電子百?gòu)?qiáng)企業(yè)、中國(guó)半導(dǎo)體十大領(lǐng)軍企業(yè)等稱號(hào)，擁有國(guó)家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心、博士后科研工作站和我國(guó)第一家高密度集成電路國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室。其為客戶所生產(chǎn)的產(chǎn)品涵蓋4C(計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、汽車電子)等廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。2009年，長(zhǎng)電科技營(yíng)收已達(dá)3.5億美元，已躋身全球封測(cè)排名第八，為中國(guó)內(nèi)資第一大封測(cè)廠。
力爭(zhēng)全球前五
隨著經(jīng)營(yíng)環(huán)境的持續(xù)轉(zhuǎn)暖，加上國(guó)內(nèi)調(diào)結(jié)構(gòu)與促消費(fèi)宏觀政策環(huán)境的推動(dòng)，今年上半年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨大好的發(fā)展機(jī)遇，出現(xiàn)了難得的強(qiáng)勁復(fù)蘇勢(shì)頭。上半年長(zhǎng)電科技訂單充足，經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)成為主板上市公司中一道靚麗的風(fēng)景。2010年上半年凈利潤(rùn)大幅度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)第三季歸屬母公司凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)145倍至156倍。
與此同時(shí)，長(zhǎng)電科技在技術(shù)水平、經(jīng)營(yíng)策略和市場(chǎng)開(kāi)拓等方面也取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。一方面生產(chǎn)規(guī)模有了較大的提升，經(jīng)濟(jì)效益顯著增長(zhǎng)；另一方面產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、工藝水平、技術(shù)創(chuàng)新等方面也實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展，進(jìn)一步縮小了與國(guó)際大廠的差距。主要表現(xiàn)在：一是長(zhǎng)電科技躋身全球封測(cè)業(yè)排名第八位；二是主要依托長(zhǎng)電科技為主體的集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟建立并在國(guó)家重大科技項(xiàng)目的創(chuàng)新活動(dòng)中發(fā)揮出積極作用；三是國(guó)家唯一的“高密度集成電路封裝技術(shù)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室”在長(zhǎng)電科技建立；四是長(zhǎng)電科技控股子公司長(zhǎng)電先進(jìn)被德州儀器評(píng)為全球優(yōu)秀供應(yīng)商，越來(lái)越多的國(guó)際大企業(yè)與長(zhǎng)電科技開(kāi)展多項(xiàng)技術(shù)合作。
長(zhǎng)電科技下一步發(fā)展構(gòu)想是培育具有公司自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心競(jìng)爭(zhēng)力，在國(guó)際先進(jìn)封測(cè)技術(shù)方面求得突破，進(jìn)入世界封裝行業(yè)的先進(jìn)行列，實(shí)現(xiàn)公司技術(shù)轉(zhuǎn)型升級(jí)，在先進(jìn)封裝核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝方面達(dá)到世界先進(jìn)水平。長(zhǎng)電科技的具體目標(biāo)有兩個(gè)：一是營(yíng)業(yè)規(guī)模進(jìn)入世界封測(cè)行業(yè)排名前五名；二是有2～3項(xiàng)封裝技術(shù)創(chuàng)新成果，能成為國(guó)際主流封裝技術(shù)。
基本掌握九大核心技術(shù)
集成電路行業(yè)是一個(gè)典型的資本技術(shù)雙密集型行業(yè)。在整體技術(shù)水平上，國(guó)內(nèi)封測(cè)行業(yè)仍以DIP、SOP、SOT等傳統(tǒng)的中低端封裝形式為主，與國(guó)際先進(jìn)水平仍存在較大差距，難以滿足國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)和芯片制造行業(yè)發(fā)展的要求。“十二五”是國(guó)家調(diào)整經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)和發(fā)展新興戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)的重要時(shí)期，也是長(zhǎng)電科技創(chuàng)新轉(zhuǎn)型發(fā)展的重要階段。
通過(guò)引進(jìn)、消化吸收國(guó)外先進(jìn)封裝技術(shù)，以及多年的技術(shù)沉淀與持續(xù)研發(fā)，如今的長(zhǎng)電科技在IC封裝領(lǐng)域已基本掌握九大核心技術(shù)，與國(guó)際封測(cè)主流技術(shù)同步發(fā)展。這些技術(shù)包括：硅穿孔(TSV)封裝技術(shù)、SiP射頻封裝技術(shù)、圓片級(jí)三維再布線封裝工藝技術(shù)、銅凸點(diǎn)互聯(lián)技術(shù)、高密度FC-BGA封測(cè)技術(shù)、多圈陣列四邊無(wú)引腳封測(cè)技術(shù)(MIS)、封裝體三維立體堆疊封裝技術(shù)；50μm以下超薄芯片三維堆疊封裝技術(shù)、MEMS等新興產(chǎn)品封測(cè)技術(shù)。
長(zhǎng)電科技WL-CSP、TSV、SiP三大主流技術(shù)已與世界先進(jìn)水平接軌。在SiP封裝上，長(zhǎng)電科技已占據(jù)國(guó)內(nèi)絕對(duì)領(lǐng)先地位，接近國(guó)際先進(jìn)水平，減薄技術(shù)達(dá)到25μm，堆疊可達(dá)8層以上，焊線距離小到35μm，包括低弧度打線等。長(zhǎng)電科技的射頻器件封裝設(shè)計(jì)能力也很強(qiáng)，WLCSP封裝技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先，規(guī)模已進(jìn)全球前三。世界上體積最小的影像傳感器(CIS)已在長(zhǎng)電科技生產(chǎn)，12英寸圓片級(jí)封裝也已經(jīng)批量生產(chǎn)，銅柱凸塊技術(shù)也已進(jìn)入小批量生產(chǎn)，該技術(shù)將在全球流行。另外，長(zhǎng)電科技有很多四邊無(wú)引腳多圈封裝(又稱高腳位QFN)專利，已申請(qǐng)了500多項(xiàng)專利，其中一半是發(fā)明專利。目前，長(zhǎng)電科技正組織技術(shù)團(tuán)隊(duì)抓緊新型封裝技術(shù)MIS的研究與開(kāi)發(fā)，并盡快使該技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。很多國(guó)際大公司都非�？春眠@個(gè)產(chǎn)品，已經(jīng)開(kāi)始和長(zhǎng)電科技展開(kāi)合作。這一技術(shù)項(xiàng)目一旦實(shí)現(xiàn)規(guī)�；a(chǎn)，將是長(zhǎng)電科技對(duì)世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作出的又一貢獻(xiàn)。
長(zhǎng)電科技創(chuàng)新的腳步仍在繼續(xù)。它對(duì)QFN/MIS/MIS-PP產(chǎn)品線的研發(fā)有著更長(zhǎng)遠(yuǎn)的計(jì)劃，未來(lái)將提供客戶多元化設(shè)計(jì)所需要的選擇與具有競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比。憑借新工藝能力的延伸，長(zhǎng)電科技產(chǎn)品路線除現(xiàn)有的模擬產(chǎn)品(主要為電源管理系列)封裝測(cè)試以外，將逐漸拓展至混合信號(hào)與主芯片產(chǎn)品的代工業(yè)務(wù)。
對(duì)新一代產(chǎn)品的市場(chǎng)推廣，長(zhǎng)電科技計(jì)劃于2010年第四季度展開(kāi)。對(duì)于現(xiàn)有BGA/QFP等高腳數(shù)I/O的產(chǎn)品與整合型模塊(如電源模塊將控制芯片與功率器件加以整合)，將是極力推廣的重點(diǎn)，其產(chǎn)品的應(yīng)用是沒(méi)有限制與區(qū)隔的，市場(chǎng)前景可期。
MIS封裝獨(dú)具特色
每一項(xiàng)技術(shù)的進(jìn)步，都凝聚著長(zhǎng)電人不懈的努力和智慧的汗水，讓長(zhǎng)電人特別引以為豪的是MIS，該技術(shù)能夠?qū)⒛壳癐C封裝主流技術(shù)QFN/DFN系列產(chǎn)品工藝提升至新水平，拓展至新領(lǐng)域，與傳統(tǒng)QFN/DFN、QFP和BGA等技術(shù)相比較，MIS具有諸多優(yōu)點(diǎn)。
在MIS的技術(shù)優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上，長(zhǎng)電科技還有能力將所擁有的Flip Chip與銅線工藝技術(shù)，以及自主框架設(shè)計(jì)和生產(chǎn)能力加以整合，進(jìn)一步縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，提升競(jìng)爭(zhēng)力。具體而言有三大優(yōu)勢(shì)：一是可使產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)小外形、高密度，節(jié)省材料，提高生產(chǎn)效率；二是扇入扇出內(nèi)外引腳互聯(lián)技術(shù)，大大節(jié)約金線使用量；三是配合以基板為基礎(chǔ)的SiP封裝測(cè)試服務(wù)，對(duì)于高密度與高傳輸速率的高階封裝制程與需求以及具備異質(zhì)整合特性的封裝需求都能加以支持，從而讓IC在輕薄短小之余，還可擁有強(qiáng)大的效能。這些市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)將持續(xù)推升封裝業(yè)在產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中的地位。目前長(zhǎng)電科技市場(chǎng)布局已由本土客戶群漸漸擴(kuò)充至歐美日韓以及我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)(包括IDM和Fabless)。
長(zhǎng)電科技致力于創(chuàng)新的封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)，以期能成為國(guó)際主流的封裝技術(shù)創(chuàng)新者。目前，長(zhǎng)電科技在MIS上的新工藝制程開(kāi)發(fā)已有突破性進(jìn)展，基于新封裝技術(shù)的產(chǎn)品可靠性皆符合業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)需求，同時(shí)提供客戶端對(duì)于產(chǎn)品“Time to market”以更佳彈性的配合。
正因長(zhǎng)電科技在創(chuàng)新封裝技術(shù)上的持續(xù)開(kāi)發(fā)，公司目前在QFN系列產(chǎn)品方面品種齊全，并有良好的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。對(duì)于MIS的新工藝開(kāi)發(fā)，除沿用現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備外，更重要的是具有引線框的設(shè)計(jì)與制造能力，向客戶提供從封裝設(shè)計(jì)到產(chǎn)品終測(cè)的全面“Turnkey service”。 （偉 文）
MIS封裝技術(shù)簡(jiǎn)介
微電子技術(shù)在經(jīng)歷了幾十年的發(fā)展，勢(shì)頭依然不減。集成電路特征尺寸正在快速向幾個(gè)原子大小逼近。同時(shí)，大量系統(tǒng)級(jí)集成技術(shù)開(kāi)發(fā)出來(lái)并得以實(shí)用。這一切延續(xù)了著名的摩爾定律的繼續(xù)有效，即每18個(gè)月芯片集成度提高1倍。由此，便催生了現(xiàn)代無(wú)線通信、互聯(lián)網(wǎng)等大量新興技術(shù)和產(chǎn)業(yè)，改變了人類生活和社會(huì)的每一個(gè)細(xì)小方面和環(huán)節(jié)。反之，各種電子系統(tǒng)及產(chǎn)品的大量普及應(yīng)用又對(duì)微電子技術(shù)提出了更多更高的要求。最為典型的例子就是近年來(lái)異軍突起的智能手機(jī)。隨著電腦、電視、游戲、定位等功能不斷被組合進(jìn)手機(jī)中，智能手機(jī)中的芯片數(shù)量急劇增加、功能不斷增強(qiáng)，對(duì)芯片的微型化、多功能化、復(fù)雜化、高速化和低成本提出了極大挑戰(zhàn)，也對(duì)封裝技術(shù)提出了新的要求。目前，封裝技術(shù)應(yīng)對(duì)智能手機(jī)等微電子產(chǎn)品快速發(fā)展基本上是漸進(jìn)式的，通過(guò)對(duì)10多年前的BGA、QFN和SiP封裝的不斷改良和組合發(fā)展來(lái)適應(yīng)芯片封裝的要求。雖然卓有成效，但在很大程度上也遲滯了電子產(chǎn)品技術(shù)的發(fā)展步伐，阻礙了最新芯片設(shè)計(jì)的實(shí)用化。時(shí)代呼喚全新的封裝技術(shù)的誕生。
長(zhǎng)電科技順應(yīng)微電子技術(shù)新潮流，成功開(kāi)發(fā)出獨(dú)創(chuàng)的革命性新一代MIS封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了芯片封裝的微型化、高密度、高性能、多功能和低成本的新突破。MIS封裝的開(kāi)發(fā)成功將為眾多芯片技術(shù)提供全新的封裝解決方案，促進(jìn)各種電子產(chǎn)品的跨越式進(jìn)步。
全新MIS封裝性能優(yōu)勢(shì)包括：
●首次在框架封裝產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)扇入和扇出設(shè)計(jì)，極大提高封裝設(shè)計(jì)的靈活性，顯著減少金線的用量；
●支持多圈及全陣列外引腳設(shè)計(jì)，極大地延伸了QFN封裝的引腳數(shù)，I/O數(shù)由目前的100多增加至500左右；
●外引腳支持BGA植球功能，改善SMT良率和產(chǎn)品可靠性；
●細(xì)線能力達(dá)到15微米線寬及線距；
●細(xì)微的尺寸帶來(lái)超小超薄的封裝；
●兼容芯片倒裝(FC)、COL、芯片堆疊及POP等各種封裝技術(shù)；
●與現(xiàn)有QFN和BGA實(shí)現(xiàn)Pin-to-Pin兼容；
●優(yōu)良的框架材料和制作技術(shù)提高封裝良率及品質(zhì)；
●優(yōu)良的射頻(RF)及各種電學(xué)性能。
MIS封裝技術(shù)規(guī)范：
●封裝尺寸最小1.0mm×0.6mm，最大15mmx15mm；
●最小封裝厚度0.4mm；
●最小外引腳尺寸0.2×0.2mm或φ0.2mm，最小外引腳間距0.4mm，可支持不規(guī)則外引腳形狀；
●最少I/O數(shù)2，最多I/O數(shù)500；
●最小線寬線距15μm/15μm；
●實(shí)心通孔，單層或雙層布線選擇；
●最小金線直徑18μm；
●可銅線焊線；
●達(dá)到MSL1(濕氣敏感性)水平；
●多種表面鍍選擇(PPF，NiAu，OSP)。
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